NTJD4158CT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

250 mA, 880 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV, 450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - Carga de puerta:

0.9 nC, 2.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

270 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTJD4158C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.08 S, 3 S

Otoño:

78 ns, 3.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

66 ns, 6.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns, 13.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 5.8 ns

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ