BSS223PW H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

390 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

2.5 V

Qg - Carga de puerta:

- 0.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

BSS223

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

0.35 S

Otoño:

3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns

Parte # Alias:

BSS223PWH6327XT BSS223PWH6327XTSA1 SP000843010

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

BSS223PWH, BSS223, BSS22, BSS2, BSS