AFV10700GSR5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

- 500 mV, 105 V

Ganar:

19.2 dB

Potencia de salida:

700 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-780GS-4L

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

1030 MHz to 1090 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Semiconductores NXP

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

526 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Parte # Alias:

935362013178

Tags

AFV10, AFV1, AFV