MGSF1N02LT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

750 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6000 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

MGSF1N02L

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.5 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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