RSR020P03TL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-346T-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

150 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

RSR020P03

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

RSR020P03

Tags

RSR020P03T, RSR020P03, RSR020P, RSR020, RSR02, RSR0, RSR