BSZ040N04LS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

64 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

40 S

Otoño:

5.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.5 ns

Parte # Alias:

BSZ040N04LSGATMA1 BSZ4N4LSGXT SP000388295

Unidad de peso:

0.003527 oz

Tags

BSZ040N04LSG, BSZ040N04L, BSZ040N04, BSZ040, BSZ04, BSZ0, BSZ