PTFA212401F V4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

15.8 dB

Potencia de salida:

240 W

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-37260-2

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Altura:

4.11 mm

Longitud:

22.35 mm

Frecuencia de operación:

2170 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

13.72 mm

Marca:

Infineon Technologies

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

761 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

40

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Parte # Alias:

FA212401FV4XP

Tags

PTFA2124, PTFA212, PTFA21, PTFA2, PTFA, PTF