SN7002W H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

230 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.3 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

XN7002

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Otoño:

8.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.4 ns

Parte # Alias:

SN7002WH6327XTSA1 SN72WH6327XT SP000917572

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

SN7002WH63, SN7002WH, SN7002W, SN7002, SN700, SN70, SN7