275-102N06A-00

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1000 V

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Potencia de salida:

590 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SMD-6

Embalaje:

Tubo

Frecuencia de operación:

100 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

2.5 S

Número de canales:

1 Channel

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Qg - Carga de puerta:

46 nC

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Tags

275-10, 275-1, 275