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TGF2957

TGF2957
Mfr. #:
TGF2957
Fabricante:
Qorvo
Descripción:
RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TGF2957 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TGF2957 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
18.2 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
32 V
Id - Corriente de drenaje continua:
820 mA
Potencia de salida:
41.6 dBm
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
100 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 65 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
17 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
Die
Embalaje:
Paquete de gel
Configuración:
Único
Frecuencia de operación:
15 GHz
Rango de temperatura de funcionamiento:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
Transistores
Parte # Alias:
1112257
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 70 W, 19.2 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
1112250
DISTI # TGF2957		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$9.5500
Imagen Parte # Descripción
TGF150D

Mfr.#: TGF150D

OMO.#: OMO-TGF150D

 Thermal Interface Products 1.5W/M-K 200*300*1 TGF150D Light Grey
TGF2965-SM-EVB

Mfr.#: TGF2965-SM-EVB

OMO.#: OMO-TGF2965-SM-EVB-1152

 RF Development Tools
TGF2021-04-SG

Mfr.#: TGF2021-04-SG

OMO.#: OMO-TGF2021-04-SG-1152

 RF JFET Transistors 20-4000MHz Gain 12dB 12.5Volts Pwr 4 dBm
TGF2021-12-XCC-2

Mfr.#: TGF2021-12-XCC-2

OMO.#: OMO-TGF2021-12-XCC-2-1190

 Nuevo y original
TGF2023-2-0150PCS

Mfr.#: TGF2023-2-0150PCS

OMO.#: OMO-TGF2023-2-0150PCS-1190

 Nuevo y original
TGF2960-SD.

Mfr.#: TGF2960-SD.

OMO.#: OMO-TGF2960-SD--1190

 Nuevo y original
TGF4250-SCC

Mfr.#: TGF4250-SCC

OMO.#: OMO-TGF4250-SCC-1152

 RF JFET Transistors DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET
TGF25-07870787-020

Mfr.#: TGF25-07870787-020

OMO.#: OMO-TGF25-07870787-020-LEADER-TECH

 THERMAL GAP FILLER, 200X200X0.5MM
TGF60-07870787-039

Mfr.#: TGF60-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF60-07870787-039-LEADER-TECH

 THERMAL GAP FILLER, 200X200X1MM, GREY
TGF-R-5309-10

Mfr.#: TGF-R-5309-10

OMO.#: OMO-TGF-R-5309-10-1190

 D8 - CONNECTOR, ACCESS
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
Ingrese la cantidad:
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
50
82,32 US$
4 116,00 US$
100
72,74 US$
7 274,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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