STL13N60DM2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT-5x6-HV-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

350 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

19 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

52 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Serie:

STL13N60DM2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

10.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.3 ns

Tags

STL13N60, STL13N6, STL13N, STL13, STL1, STL