IPA90R1K2C3XKSA1

IPA90R1K2C3XKSA1
Mfr. #:
IPA90R1K2C3XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPA90R1K2C3XKSA1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPA90R1K2C3XKSA1 DatasheetIPA90R1K2C3XKSA1 Datasheet (P4-P6)IPA90R1K2C3XKSA1 Datasheet (P7-P9)IPA90R1K2C3XKSA1 Datasheet (P10)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220FP-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
900 V
Id - Corriente de drenaje continua:
5.1 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
940 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2.5 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
28 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
31 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
CoolMOS
Embalaje:
Tubo
Altura:
16.15 mm
Longitud:
10.65 mm
Serie:
CoolMOS C3
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.85 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
40 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
20 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
400 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
70 ns
Parte # Alias:
IPA90R1K2C3 IPA9R1K2C3XK SP000413714
Unidad de peso:
0.211644 oz
Tags
IPA90R1K2C3, IPA90R1K2, IPA90R1, IPA90, IPA9, IPA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPA90R1K2C3XKSA1
DISTI # IPA90R1K2C3XKSA1-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
On Order
  • 1000:$0.9496
  • 500:$1.1252
  • 100:$1.4178
  • 10:$1.7400
  • 1:$1.9100
IPA90R1K2C3XK
DISTI # IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP - Rail/Tube (Alt: IPA90R1K2C3XKSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
Americas - 0
  • 1000:$0.7659
  • 2000:$0.7379
  • 3000:$0.7119
  • 5000:$0.6879
  • 10000:$0.6749
IPA90R1K2C3XKSA1
DISTI # 33P7123
Infineon Technologies AG 0
  • 1:$1.5400
  • 10:$1.3100
  • 100:$1.0500
  • 500:$0.9690
  • 1000:$0.8680
  • 2500:$0.7040
  • 5000:$0.6810
IPA90R1K2C3XKSA1
DISTI # 726-IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
RoHS: Compliant
0
  • 1:$1.5700
  • 10:$1.3300
  • 100:$1.0700
  • 500:$0.9320
IPA90R1K2C3
DISTI # 726-IPA90R1K2C3
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 900V 3.1A TO220FP-3 CoolMOS C3
RoHS: Compliant
0
  • 1:$1.5700
  • 10:$1.3300
  • 100:$1.0700
  • 500:$0.9320
IPA90R1K2C3XKSA1
DISTI # IPA90R1K2C3XKSA1
Infineon Technologies AGTransistor: N-MOSFET,unipolar,900V,3.2A,31W,TO220FP154
  • 1:$1.5100
  • 3:$1.3000
  • 10:$1.0500
  • 100:$0.9100
IPA90R1K2C3XKSA1
DISTI # 1664004
Infineon Technologies AGMOSFET, N, TO-220
RoHS: Compliant
0
  • 5:£0.5760
  • 25:£0.5410
  • 100:£0.5400
  • 250:£0.5390
  • 500:£0.5380
Imagen Parte # Descripción
UCC37324DR

Mfr.#: UCC37324DR

OMO.#: OMO-UCC37324DR

Gate Drivers Dual 4 A Peak High Speed Low-Side
STP4N150

Mfr.#: STP4N150

OMO.#: OMO-STP4N150

MOSFET PowerMESH MOSFET
STF12N120K5

Mfr.#: STF12N120K5

OMO.#: OMO-STF12N120K5

MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF12N120K5

Mfr.#: STF12N120K5

OMO.#: OMO-STF12N120K5-STMICROELECTRONICS

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-220FP
STP4N150

Mfr.#: STP4N150

OMO.#: OMO-STP4N150-STMICROELECTRONICS

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220
UCC37324DR

Mfr.#: UCC37324DR

OMO.#: OMO-UCC37324DR-TEXAS-INSTRUMENTS

Gate Drivers Dual 4 A Peak High Speed Low-Side
Disponibilidad
Valores:
999
En orden:
2982
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