IPT015N10N5ATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

300 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

169 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

375 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

10.58 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

10.1 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

140 S

Otoño:

30 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

85 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

36 ns

Parte # Alias:

IPT015N10N5 SP001227040

Unidad de peso:

0.027262 oz

Tags

IPT015N10N5ATMA1, IPT015N10N5A, IPT015, IPT01, IPT0, IPT