FDS8333C

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V, 20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

FDS8333C

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

1.5 ns, 2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns, 13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns, 11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.5 ns, 4.5 ns

Parte # Alias:

FDS8333C_NL

Unidad de peso:

0.008127 oz

Tags

FDS833, FDS83, FDS8, FDS