SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA426DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIA426DJ-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SIA426DJ-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PowerPAKR SC-70-6
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
PowerPAKR SC-70-6 Single
Configuración
Drenaje cuádruple simple de doble fuente
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
19W
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1020pF @ 10V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
4.5A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
23.6 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
27nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
3.5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
11 ns
Hora de levantarse
11 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
23.6 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
27 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SIA426, SIA42, SIA4, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 20 V 23.6 mO 27 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:4500mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0361ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIA426DJ-T1-GE3
DISTI # SIA426DJ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIA426DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SIA426DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA426DJ-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SIA426DJ-T1-GE3
        DISTI # 16P3617
        Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 20V, 4.5A, SC-70, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:4.5A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.0361ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:1.5V RoHS Compliant: Yes0
          SIA426DJ-T1-GE3
          DISTI # 781-SIA426DJ-T1-GE3
          Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
          RoHS: Compliant
          0
            Imagen Parte # Descripción
            SIA426DJ-T1-GE3

            Mfr.#: SIA426DJ-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-T1-GE3

            MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
            SIA426DJ

            Mfr.#: SIA426DJ

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-1190

            Nuevo y original
            SIA426DJ-T1-GE3

            Mfr.#: SIA426DJ-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-T1-GE3-VISHAY

            MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
            SIA426DJT1GE3

            Mfr.#: SIA426DJT1GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJT1GE3-1190

            Nuevo y original
            Disponibilidad
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            Available
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            500
            0,00 US$
            0,00 US$
            1000
            0,00 US$
            0,00 US$
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