NTHD5904NT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ChipFET-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.13 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.05 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.65 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

6 S

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

NTHD5904NT1, NTHD5904N, NTHD5904, NTHD5, NTHD, NTH