SD2931-11

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

125 V

Ganar:

15 dB

Potencia de salida:

150 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

M-174

Embalaje:

A granel

Configuración:

Fuente dual única

Altura:

7.11 mm (Max)

Longitud:

24.89 mm (Max)

Frecuencia de operación:

230 MHz

Serie:

SD2931

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

12.83 mm (Max)

Marca:

STMicroelectronics

Modo de canal:

Mejora

Pd - Disipación de energía:

389 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

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SD2931-11, SD2931-1, SD2931, SD293, SD29, SD2