SI2309CDS-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

345 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1 V

Qg - Carga de puerta:

4.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.45 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

SI2

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

SI2309CDS-E3

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

SI2309CDS-T1, SI2309CDS-T, SI2309C, SI2309, SI230, SI23, SI2