IPP80R1K4P7XKSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 50 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

32 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

CoolMOS P7

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

20 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

IPP80R1K4P7 SP001422718

Unidad de peso:

0.063493 oz

Tags

IPP80R, IPP80, IPP8, IPP