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IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G
Mfr. #:
IPI023NE7N3 G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPI023NE7N3 G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Infineon
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-262-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
75 V
Id - Corriente de drenaje continua:
120 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
2.3 mOhms
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
155 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
300 W
Configuración:
Único
Nombre comercial:
OptiMOS
Embalaje:
Tubo
Altura:
9.45 mm
Longitud:
10.2 mm
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.5 mm
Marca:
Infineon Technologies
Otoño:
22 nS
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
26 nS
Cantidad de paquete de fábrica:
500
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
70 nS
Parte # Alias:
IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732
Unidad de peso:
0.084199 oz
Tags
IPI023, IPI02, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***i-Key
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPI023NE7N3 G
DISTI # IPI023NE7N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI023NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI023NE7N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      IPI023NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      RoHS: Compliant      		6946
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      IPI023NE7N3 GInfineon Technologies AG 
      RoHS: Not Compliant      		1500
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      Imagen Parte # Descripción
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G

      		 MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI023NE7N3

      Mfr.#: IPI023NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-1190

      		 Nuevo y original
      IPI023NE7N3G

      Mfr.#: IPI023NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3G-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1500
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