SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7792DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7792DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7792DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Single with Schottky Diode
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
104 W
Otoño
12 ns
Hora de levantarse
13 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
60 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
1.7 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
40 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
15 ns
Qg-Gate-Charge
90 nC
Transconductancia directa-Mín.
83 S
Tags
SI7792, SI779, SI77, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7792DP-T1-GE3
DISTI # SI7792DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7792DP-T1-GE3
    DISTI # 78-SI7792DP-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      SI7792DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7792DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
      SI7792DP-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
      SI7792DP

      Mfr.#: SI7792DP

      OMO.#: OMO-SI7792DP-1190

      Nuevo y original
      SI7792DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7792DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-E3-1190

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