RV2C010UNT2L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

470 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

400 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

RV2C010UN

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Parte # Alias:

RV2C010UN

Tags

RV2C010, RV2C01, RV2C0, RV2C, RV2