C3M0120100K

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V, - 4 V

Qg - Carga de puerta:

21.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

83 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

7.7 S

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

31 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

C3M01, C3M0, C3M