TPN2R805PL,L1Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSON-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

45 V

Id - Corriente de drenaje continua:

139 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

39 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

TPN2R805PL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN