STP26N60DM6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

195 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.25 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

24 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

130 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

39 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Tags

STP26N6, STP26N, STP26, STP2, STP