FDPF4N60NZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

28 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

UniFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.07 mm

Longitud:

10.36 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

FDPF4N60NZ

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

3.3 S

Otoño:

12.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.7 ns

Unidad de peso:

0.080072 oz

Tags

FDPF4, FDPF, FDP