CSD87313DMST

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

28 nC, 28 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD87313DMS

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

149 S, 149 S

Otoño:

13 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

27 ns, 27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

41 ns, 41 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 9 ns

Tags

CSD8731, CSD873, CSD87, CSD8, CSD