FDMC0310AS-F127

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Power-33-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

76 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.6 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

37 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

36 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

106 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

FDMC0310AS_F127

Unidad de peso:

0.010582 oz

Tags

FDMC03, FDMC0, FDMC, FDM