MMDT5451-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

150 V, 160 V

Colector- Voltaje base VCBO:

160 V, 180 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.2 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.2 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MMDT5451

Ganancia de corriente CC hFE Max:

240

Altura:

1 mm

Longitud:

2.2 mm

Ancho:

1.35 mm

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

- 0.2 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

60

Pd - Disipación de energía:

200 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000212 oz

Tags

MMDT545, MMDT54, MMDT5, MMDT, MMD