SSM6L14FE(TE85L,F)

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 mA, 720 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

240 mOhms, 300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

350 mV, 1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V, 8 V

Qg - Carga de puerta:

2 nC, 1.76 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

SSM6L14FE

Ancho:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

1.05 S, 850 mS

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns, 38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns, 11 ns

Unidad de peso:

0.000106 oz

Tags

SSM6L14, SSM6L1, SSM6L, SSM6, SSM