SSM3K2615TU,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UFM-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

6 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

SSM3K2615TU

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

1 S

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

150 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

30 ns

Unidad de peso:

0.000233 oz

Tags

SSM3K2, SSM3K, SSM3, SSM