NTDV20N06LT4G-VF01

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

39 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

32 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

62 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

98 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.6 ns

Tags

NTDV20N, NTDV20, NTDV2, NTDV, NTD