FCH190N65F-F155

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

168 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

60 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

208 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

SuperFET II

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.82 mm

Longitud:

15.87 mm

Serie:

FCH190N65F

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.82 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

18 S

Otoño:

4.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

450

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

62 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

FCH190N65F_F155

Unidad de peso:

0.225401 oz

Tags

FCH190N65F-F, FCH190, FCH19, FCH1, FCH