STP60N3LH5

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

48 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

22 V

Qg - Carga de puerta:

8.8 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

60 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Serie:

STP60N3LH5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

N-Channel STripFET V Power MOSFET

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

1.1 S

Otoño:

4.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.011640 oz

Tags

STP60N, STP60, STP6, STP