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SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3588DV-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 20V 3.0/2.2A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI3588DV-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI3588DV-T1-E3 DatasheetSI3588DV-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI3588DV-T1-E3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI3588DV-E3
Unidad de peso
0.000705 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET
Paquete-Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
6-TSOP
Configuración
1 N-Channel 1 P-Channel
Tipo FET
Canal N y P
Potencia máxima
830mW, 83mW
Tipo transistor
1 N-Channel 1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
2.5A, 570mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
Puerta-Carga-Qg-Vgs
7.5nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
830 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
30 ns 29 ns
Hora de levantarse
30 ns 29 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
8 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
80 mOhms 145 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N Canal P
Tiempo de retardo de apagado típico
28 ns 24 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns 12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI3588D, SI3588, SI358, SI35, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6-Pin TSOP T/R
***i-Key
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
***ser
Dual MOSFETs 20V 3.0/2.2A
***nell
MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N / P Channel; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:3A; On State Resistance:80mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Case Style:TSOP-6
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:3A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:TSOP-6 ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:3A; Current Id Max:3A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):80mohm; Package / Case:TSOP-6; Power Dissipation Pd:830mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI3588DV-T1-E3
DISTI # SI3588DV-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI3588DV-T1-E3
    DISTI # SI3588DV-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI3588DV-T1-E3
      DISTI # SI3588DV-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI3588DV-T1-E3
        DISTI # 781-SI3588DV-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 3.0/2.2A
        RoHS: Compliant        		0
          SI3588DV-T1-E3
          DISTI # 1612643RL          		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P, TSOP-6
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$2.1600
          • 10:$1.7400
          • 100:$1.3900
          • 250:$1.2000
          • 500:$1.0400
          • 1000:$0.9660
          • 3000:$0.9320
          SI3588DV-T1-E3
          DISTI # 1612643          		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P, TSOP-6
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$2.1600
          • 10:$1.7400
          • 100:$1.3900
          • 250:$1.2000
          • 500:$1.0400
          • 1000:$0.9660
          • 3000:$0.9320
          Imagen Parte # Descripción
          SI3588DV-T1-GE3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-GE3

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
          SI3588DV-T1-E3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-E3-VISHAY

          		 IGBT Transistors MOSFET 20V 3.0/2.2A
          SI3588DV-T1-GE3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-GE3-VISHAY

          		 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
          SI3588DV-T1E3

          Mfr.#: SI3588DV-T1E3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1E3-1190

          		 Nuevo y original
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          4000
          Ingrese la cantidad:
          El precio actual de SI3588DV-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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          Ext. Precio
          1
          0,00 US$
          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
          Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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