FD6M016N03

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

EPM-15

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.6 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Tubo

Altura:

10.7 mm

Longitud:

26.2 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

2.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

65 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

19

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Tags

FD6M, FD6