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SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7892BDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7892BDP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
V
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7892BDP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET / PowerPAK
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
13 ns
Hora de levantarse
13 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
25 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
4.2 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
62 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
20 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7892BDP-T, SI7892BD, SI7892B, SI7892, SI789, SI78, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:25000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:1.8W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7892BDP-T1-GE3
DISTI # SI7892BDP-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Limited Supply - Call
    SI7892BDP-T1-GE3
    DISTI # SI7892BDP-T1-GE3DKR-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®    		Limited Supply - Call
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3TR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape & Reel (TR)      		Temporarily Out of Stock
      • 3000:$0.7508
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Reel      		Americas - 0
      • 3000:$0.8889
      • 6000:$0.8629
      • 12000:$0.8279
      • 18000:$0.8049
      • 30000:$0.7829
      SI7892BDP-T1-GE3
      DISTI # SI7892BDP-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7892BDP-T1-GE3)
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 3000
      Container: Tape and Reel      		Asia - 0
        SI7892BDP-T1-GE3
        DISTI # 781-SI7892BDP-T1-GE3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
        RoHS: Compliant        		2576
        • 1:$1.9000
        • 10:$1.5800
        • 100:$1.2300
        • 500:$1.0700
        • 1000:$0.8870
        • 3000:$0.8260
        • 6000:$0.7950
        • 9000:$0.7640
        SI7892BDPT1GE3Vishay Intertechnologies 
        RoHS: Compliant        		Europe - 3000
          Imagen Parte # Descripción
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3

          		 MOSFET 30V 25A 0.0042Ohm
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3

          		 MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP-T1-GE3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-GE3-VISHAY

          		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
          SI7892BDP

          Mfr.#: SI7892BDP

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-1190

          		 Nuevo y original
          SI7892BDP-T1

          Mfr.#: SI7892BDP-T1

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-1190

          		 Nuevo y original
          SI7892BDP-T1-E3

          Mfr.#: SI7892BDP-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI7892BDP-T1-E3-VISHAY

          		 MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          1000
          Ingrese la cantidad:
          El precio actual de SI7892BDP-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
          Precio de referencia (USD)
          Cantidad
          Precio unitario
          Ext. Precio
          1
          1,13 US$
          1,13 US$
          10
          1,07 US$
          10,70 US$
          100
          1,01 US$
          101,36 US$
          500
          0,96 US$
          478,65 US$
          1000
          0,90 US$
          901,00 US$
          Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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