2SD2150T100R

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

290 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SD2150

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

3 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

500 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

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