TPH3R003PL,LQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOP-Advance-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

134 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

50 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

90 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

5.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

36 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

18 ns

Tags

TPH3R0, TPH3R, TPH3, TPH