BC857BLP4-7B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN1006H4-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 45 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 650 mV

Corriente máxima del colector de CC:

- 200 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BC857B

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

- 100 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

220 at -2 mA, - 5 V

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Tags

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