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TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG2S0HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TC58NYG2S0HBAI6 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TC58NYG2S0HBAI6 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
VFBGA-67
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
512 M x 8
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Frecuencia máxima de reloj:
-
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
338
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TC58NYG2S0H, TC58NYG2S0, TC58NYG2, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
***et
4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18852635		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA26
  • 2500:$3.2660
  • 1000:$3.2780
  • 500:$3.4360
  • 250:$3.5660
  • 100:$3.5750
  • 50:$3.9590
  • 25:$3.9770
  • 10:$4.0590
  • 1:$4.4450
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6		Toshiba America Electronic Components4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG2S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 3380:$2.4900
  • 2028:$2.5900
  • 676:$2.6900
  • 1352:$2.6900
  • 338:$2.7900
TC58NYG2S0HBAI6_TRAY
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6_TRAY		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TC58NYG2S0HBAI6_TRAY)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
    TC58NYG2S0HBAI6
    DISTI # 757-TC58NYG2S0HBAI6    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		336
    • 1:$4.5900
    • 10:$4.1600
    • 25:$4.0700
    • 50:$4.0500
    • 100:$3.6300
    • 250:$3.6200
    • 500:$3.4800
    • 1000:$3.3100
    • 2500:$3.1600
    Imagen Parte # Descripción
    74736-0222

    Mfr.#: 74736-0222

    OMO.#: OMO-74736-0222-409

    		 I/O Connectors XFP CAGE ASSY W/HEAT SINK
    Disponibilidad
    Valores:
    336
    En orden:
    2319
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de TC58NYG2S0HBAI6 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    4,90 US$
    4,90 US$
    10
    4,47 US$
    44,70 US$
    50
    4,35 US$
    217,50 US$
    100
    3,91 US$
    391,00 US$
    250
    3,89 US$
    972,50 US$
    500
    3,65 US$
    1 825,00 US$
    1000
    3,49 US$
    3 490,00 US$
    2500
    3,38 US$
    8 450,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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