TK7R7P10PL,RQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DPAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

79 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

44 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

93 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

TK7R7P10PL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Toshiba

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

62 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Tags

TK7