QS6Z5TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-457T-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

130 mV, - 200 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A, - 1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

360 MHz, 400 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

450 at 50 mA, 2 V, 450 at - 50 mA, - 2 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

1 A, - 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

180 at 50 mA, 2 V, 180 at - 50 mA, - 2 V

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

QS6Z5

Tags

QS6