BSO612CV G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

120 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

BSO612

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

1.2 S

Otoño:

30 ns, 95 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns, 60 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 145 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns, 15 ns

Parte # Alias:

BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

BSO612CVG, BSO612, BSO61, BSO6, BSO