SQ1912EH-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms, 200 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

1.15 nC, 1.15 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SQ

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S, 2.6 S

Otoño:

17 ns, 17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns, 21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns, 19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3 ns, 3 ns

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

SQ1912E, SQ191, SQ19, SQ1