MMJT9435T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

45 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.155 V

Corriente máxima del colector de CC:

3 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

110 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

1.57 mm

Longitud:

6.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

3.5 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

125

Pd - Disipación de energía:

3 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

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