ZXMN10A08GTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

250 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

7.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.65 mm

Longitud:

6.7 mm

Serie:

ZXMN10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.7 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

5 S

Otoño:

3.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.4 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

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