NP90N04VUG-E1-AY

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Electrónica Renesas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

90 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

90 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

105 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Electrónica Renesas

Transconductancia directa - Mín .:

51 S

Otoño:

11 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

32 ns

Unidad de peso:

0.011993 oz

Tags

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