IXTT80N20L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-268-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

32 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

180 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

520 W

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Lineal

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.1 mm

Longitud:

14 mm

Serie:

IXTT80N20

Escribe:

MOSFET de potencia lineal

Ancho:

16.05 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

30 S

Otoño:

29 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

44 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

72 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

29 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT8, IXTT, IXT