MRF557

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Advanced Semiconductor, Inc.

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Poder bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

90

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

16 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

4 V

Corriente continua del colector:

400 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

317D-02

Embalaje:

Bandeja

Frecuencia de operación:

800 MHz

Escribe:

Potencia bipolar RF

Marca:

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd - Disipación de energía:

3 W

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Transistores

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